? ? ? 半導體、面板、PCB相關(guān)行業(yè)發(fā)展脈絡分析電子行業(yè)是發(fā)展新經(jīng)濟的基石。鍺和硅是常用的元素半導體;化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),一類是不改變材料的化學組成進行提純,在朝產(chǎn)業(yè)集群化的方向發(fā)展。半導體行業(yè)經(jīng)常發(fā)生并購整合活動,為客戶提供滿足無論是在工業(yè)、汽車、個人電子或其他領域。金、銀靶材是貨品靶材的重要組成部分。
2024-08-22 面議/套? ? ? 科技日報:ITO靶材屬于35項卡脖子技術(shù)之一。UVTM掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后,實施極其嚴格的保密措施,限制技術(shù)擴散,目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等在國內(nèi)處于****水平。其中鋁靶、銅靶用于導電層薄膜,鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜,邦定:長4米靶材的邦定,3米管靶材邦定,大面積平面銅背板,鈦背板的邦定,綁定率高,超聲
2024-08-22 面議/套?ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及其對我國觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。如何燒制是個問題,而燒結(jié)大尺寸的ITO靶材就意味著需要大型的爐子。首先需要把氧化銦和氧化錫粉末按嚴格的比例混合,然后生產(chǎn)加工成地板磚的形狀,1700攝氏度的高溫燒制,形成的黑灰色陶瓷半導體就是ITO靶材。大部分國家銦的保有量只有1.6萬噸,中國的銦保有量約1萬噸,到62%。接下來是秘魯?shù)?80噸、加拿大的560噸、美國的450噸,分別占大部分國
2024-08-22 面議/套? ? ? 濺射技術(shù)與真空蒸發(fā)技術(shù)有所不同!盀R射”是指荷能粒子轟擊固體表面(靶),使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。射出的粒子大多呈原子狀態(tài),常稱為濺射原子。用于轟擊靶的濺射粒子可以是電子,離子或中性粒子,因為離子在電場下易于加速獲得所需要動能,因此大都采用離子作為轟擊粒子。濺射過程建立在輝光放電的基礎上,即濺射離子都于氣體放電。不同的濺射技術(shù)所采用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直
2024-08-22 面議/套? ? 目前國內(nèi)氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多,其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法,以及化學氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學方法。除了以上所述成型方法外,人們還研究了沖擊成型法和爆開成型法等,目前這些新型成型方法尚在研究階段,要實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化還有很多研究工作需要進一步細化。在這些制備技術(shù)中噴涂法是目前應用較多的技術(shù),其制備的產(chǎn)品品質(zhì)高,穩(wěn)定性好,磁控濺射
2024-08-22 面議/套中國集成電路材料現(xiàn)狀如何?靶材是薄膜制備的關(guān)鍵原料之一,半導體在靶材應用中約占10%。2016年靶材市場增速達到20%,2017年-2019年仍將保持復合增速13%,到2018年大部分國家靶材市場空間達到983億元,超越大部分國家金屬鈷和碳酸鋰合計941億元的市場,未來潛力巨大。高純金和高純銀因具有接觸電阻小,熱阻低,熱效應力小和可靠性高等優(yōu)點,其靶材材料廣泛應用于背面金屬化系統(tǒng)、汽車工業(yè)、高溫材
2024-08-22 面議/套自20世紀80年代,以集成電路、信息存儲、液晶顯示器、激光存儲器、電子控制器為主的電子與信息產(chǎn)業(yè)開始進入高速發(fā)展時期,用真實進入工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)應用領域。近10年來,濺射技術(shù)更是取得了突飛猛進的發(fā)展。相比PVD另一大工藝真空鍍膜,厚可控制,可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜,合力強等優(yōu)點,已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)。電子器件靶材的原材料有鎳鉻合金、鉻硅合金等,薄膜電容。靶材的方法很多。大體上,
2024-08-22 面議/套真空鍍膜機的操作方法介紹:真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜儀器,主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。真空鍍膜機的應用是很復雜的,用戶需要掌握一定的操作知識。下面小編就來具體介紹一下真空鍍膜機的操作方法,希望可以幫助到大家。電控柜操作:1.開水泵、氣源。2.開總電源。3.開維持泵、真空計電源,真空計檔位置V1位置,等待其值小于10后,再進入下一步操作。約需5分鐘。4.開機械泵、予抽,開渦輪
2024-08-21 面議/套?靶材的技術(shù)發(fā)展主要取決于先進薄膜材料、先進的薄膜沉積制備技術(shù)和薄膜結(jié)構(gòu)的控制以及對薄膜物理、化學行為相關(guān)的表面科學技術(shù)的深入研究。和微量的摻雜劑放置在石英坩堝中,在真空或高純氬氣氣氛中加熱融化,控制適當?shù)臏囟,將籽晶插入熔體,使熔融多晶硅按籽晶的硅原子排列順序結(jié)晶凝固成單晶硅。化、縮頸、放肩、等經(jīng)、收尾等步驟。區(qū)熔法屬于無坩堝法的一種,該法顯著的特點是不用坩堝盛裝熔融硅,而是依靠在高頻電磁場作用
2024-08-21 面議/套