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電路靶材定制,鉻硅靶材,硅鉻靶材,硅鈦靶材
訂貨量(套)
價(jià)格(不含稅)
1
1800.00元/套
供應(yīng)標(biāo)題:電路靶材定制,鉻硅靶材,硅鉻靶材,硅鈦靶材
價(jià)格:電儀
發(fā)布公司:廣州市尤特新材料有限公司
供貨總量:9999
聯(lián)系人:楊永添
發(fā)貨地點(diǎn):廣東 廣州 花都區(qū)
發(fā)布時(shí)間:2024年08月21日
有效期至:2024年10月20日
在線詢盤:在線詢盤
產(chǎn)品綜合信息質(zhì)量:未計(jì)算
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基本信息
真空鍍膜機(jī)的操作方法介紹:真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜儀器,主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。真空鍍膜機(jī)的應(yīng)用是很復(fù)雜的,用戶需要掌握一定的操作知識(shí)。下面小編就來(lái)具體介紹一下真空鍍膜機(jī)的操作方法,希望可以幫助到大家。電控柜操作:1.開(kāi)水泵、氣源。2.開(kāi)總電源。3.開(kāi)維持泵、真空計(jì)電源,真空計(jì)檔位置V1位置,等待其值小于10后,再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。4.開(kāi)機(jī)械泵、予抽,開(kāi)渦輪分子泵電源、啟動(dòng),真空計(jì)開(kāi)關(guān)換到V2位置,抽到小于2為止,約需20分鐘。5.觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后,關(guān)予抽,開(kāi)前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空,抽真空到達(dá)一定程度后才能開(kāi)右邊的高真空表頭,觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開(kāi)電子電源。
金屬硅化物具有優(yōu)異的高溫舒緩反應(yīng)性以及良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性,已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中作為優(yōu)良的接觸材料。隨著金屬硅化物的不斷發(fā)展,主導(dǎo)的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。
鎳鉑硅化物薄膜在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路中。隨著肖特基二極管工藝不斷發(fā)展,金屬硅化物-硅接觸已取代了傳統(tǒng)的金屬-硅接觸,避免了表面缺陷與沾污,降低了表面態(tài)的影響,提高了器件的正向特性、反向耐壓、反向能量沖擊、耐高溫、抗靜電、抗燒毀能力。
在半導(dǎo)體集成電路中的應(yīng)用
鎳鉑硅化物還廣泛用于超大規(guī)模集成電路(VLSI)微電子器件中源、漏、柵極與金屬電極間的接觸。
為了減小鎳鉑硅化物整體的阻抗,IBM 的專利采用兩步驟制造 NiPtSi薄膜:較好步濺射沉積 Pt 含量較高的鎳鉑合金薄膜,第二步濺射沉積 Pt 含量較低的鎳鉑合金薄膜甚至不含 Pt 的純鎳薄膜。這樣形成的鎳鉑硅化物薄膜上表面的 Pt 含量低,有助于減小鎳鉑硅化物整體的阻抗。
鎳鉑硅化物作為優(yōu)良的接觸材料廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中,鎳鉑合金濺射靶材成為保證半導(dǎo)體器件性能和發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)鍵材料,其不斷增長(zhǎng)的需求量為中國(guó)貴金屬靶材制造業(yè)的發(fā)展提供了機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
廣州市尤特新材料有限公司基本信息
公司網(wǎng)址:http://UVTMCOM.glass.com.cn
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電話:86-020-22968888-115
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計(jì)量單位:套 供貨總量:9999 最小起訂量:1 產(chǎn)品單價(jià):1800.00 品牌: 規(guī)格型號(hào): 包裝說(shuō)明: