鋁釹合金靶,釹鋁合金靶材,鋁

大尺寸一體化鋁釹旋轉(zhuǎn)靶材及其制備方法，特別涉及一種大尺寸一體化鋁釹旋轉(zhuǎn)靶材的制備。真空熔煉和熱壓技術(shù)由于成分不均勻容易產(chǎn)生偏析，再加上靶材形狀受到限制，已經(jīng)不能滿足靶材成分均勻、大尺寸一體化的要求。濺射靶材生產(chǎn)過(guò)程屬于有色金屬物理加工，生產(chǎn)過(guò)程中不涉及有毒有害原料和有毒有害“三廢”，國(guó)家對(duì)濺射靶材行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售不存在特殊管制。采用超音速火焰(HVOF)和電弧噴涂技術(shù)制備金屬陶瓷/合金多層涂

2024-08-15 面議/套

高純鉻靶材,鉻靶材生產(chǎn)廠家,

? ? ? 鍍膜靶材是用物理或化學(xué)的方法在靶材表面鍍層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變靶材表面的反射和透射特性。而鍍膜的方法有真空鍍膜和光學(xué)鍍膜，真空鍍膜和光學(xué)鍍膜的區(qū)別是什么。在19世紀(jì)末，ITO薄膜的研究工作開始真實(shí)地發(fā)展了起來(lái)，當(dāng)時(shí)是在光電導(dǎo)的材料上獲得很薄的金屬薄膜。而關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究進(jìn)入一個(gè)新的時(shí)期，則是在第二次世界大戰(zhàn)期間，主要應(yīng)用于飛機(jī)的除冰窗戶玻璃。而在1950年，

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旋轉(zhuǎn)靶材,旋轉(zhuǎn)硅靶,旋轉(zhuǎn)氧化

? ? ? 氧化鋅摻鋁（AZO）薄膜因無(wú)害、成本低、Zn 源材料豐富以及在 H 等離子體中性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛的研究，尤其作為前電極應(yīng)用在薄膜太陽(yáng)能電池中 。在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點(diǎn)，其中以直流和射頻磁控濺射研究廣。? ? 要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到 200~500 ℃ ，提高了實(shí)際應(yīng)用中的成本，縮小了AZO薄膜的應(yīng)用范圍。而

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硅靶哪里便宜 硅靶廠家報(bào)價(jià)

? ? 氧化鋅摻鋁（AZO）薄膜因無(wú)害、成本低、Zn 源材料豐富以及在 H 等離子體中性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛的研究，尤其作為前電極應(yīng)用在薄膜太陽(yáng)能電池中 。在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點(diǎn)，其中以直流和射頻磁控濺射研究廣。? ? 要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到 200~500 ℃ ，提高了實(shí)際應(yīng)用中的成本，縮小了AZO薄膜的應(yīng)用范圍。而采用

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尤特靶材,廣東靶材,廣州靶材

真空噴涂硅靶材性能介紹及其優(yōu)點(diǎn) ? ? ? 尤特新材料供應(yīng)各種靶材，噴涂法是利用高壓氣體（N2、H2 、混合氣體或空氣）攜帶粉末顆粒經(jīng)縮放管產(chǎn)生超音速雙相流，在完全固態(tài)下撞擊基體，通過(guò)較大的塑性流動(dòng)變形沉積于綁定背板表面而形成涂層，涂層逐層增厚，獲得陶瓷靶材。由基本的噴涂法又衍生出等離子體噴涂、電弧噴涂、超音速火焰噴涂、冷噴涂等噴涂成型技術(shù)。使用氧化鈮粉體和少量金屬Nb，用等離子體噴涂實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化

2024-08-14 面議/公斤

Nb2O5靶材,五氧化二鈮靶材,

? ? ? 旋轉(zhuǎn)靶材相對(duì)于平面靶材具有很多的優(yōu)點(diǎn)，I)利用率高(70%以上)。甚至可以達(dá)到90%;2)濺射速度快，為平面靶的2-3倍；3)有效地減少打弧和表面掉渣，工藝穩(wěn)定性好坐寸ο對(duì)于旋轉(zhuǎn)鍍膜靶材，要求旋轉(zhuǎn)靶`材為單根整體，或分段焊接在同一襯管上。以目前技術(shù)條件，旋轉(zhuǎn)靶材的制備方法主要包括熱等靜壓法、熱壓燒結(jié)法和澆鑄法，以上工藝各有優(yōu)缺點(diǎn)，但是對(duì)不同尺寸的靈活控制難以滿足，尤其是熱壓燒結(jié)法只能生

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氧化鋁靶材,氧化鋁管靶材,三

隨著人臉識(shí)別技術(shù)的愈發(fā)成熟，紅外手機(jī)人臉識(shí)別開始大量普及，成為當(dāng)前市場(chǎng)的重要發(fā)展趨勢(shì)，而硅靶材作為手機(jī)玻璃蓋板的關(guān)鍵鍍膜材料，硅靶材作為應(yīng)用于手機(jī)玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品，獲得多家手機(jī)玻璃蓋板生產(chǎn)客戶的認(rèn)可。光學(xué)器件應(yīng)用范圍非常廣泛，主要包括智能手機(jī)、車載鏡頭、安防監(jiān)控設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、光碟機(jī)、投影機(jī)等應(yīng)用產(chǎn)品包括航空航天監(jiān)測(cè)鏡頭、生物識(shí)別設(shè)備、生命科學(xué)中DNA測(cè)序等研究設(shè)備、檢查儀器鏡頭、半導(dǎo)體檢測(cè)

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金屬鈮靶材,噴涂鈮管靶,綁定

芯片行業(yè)擁有一條超長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈，其整體可分為設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試四大環(huán)節(jié)。除了在設(shè)計(jì)領(lǐng)域。日本是主要的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國(guó)，并在半導(dǎo)體材料里長(zhǎng)期保持優(yōu)勢(shì)，體芯片需要19種左右的必須的材料，缺一不可，且大多數(shù)材料具備高的技術(shù)壁壘。薄膜復(fù)晶）、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。根據(jù)中國(guó)濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示：靶材在半導(dǎo)體材料中占比約為2.5-3%。靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又

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綁定硅靶,硅靶綁定,多晶硅靶

? ? ? 目前芯片生產(chǎn)所使用的主流導(dǎo)體互連工藝中同時(shí)存在鋁和銅兩種導(dǎo)線工藝，一般來(lái)說(shuō)110nm晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上使用鋁導(dǎo)線，110nm晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)下使用銅導(dǎo)線（應(yīng)用在更小的納米制程中）。鈦是較為為常用的阻擋層薄膜材料之一，主要是半導(dǎo)體領(lǐng)域，對(duì)應(yīng)的事導(dǎo)電層薄膜是鋁；鉭在高等的超大規(guī)模集成電路芯片中是阻擋層薄膜材料之一（相應(yīng)的導(dǎo)電層薄膜為銅）；鎢鈦靶：半導(dǎo)體芯片門電路接觸層和阻擋層；鈦材料作為鋁導(dǎo)線的

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