濺射靶材種類繁多,就ITO導(dǎo)電玻璃中使用硅靶.鋁靶.鈮靶等三種以上。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。平板顯示靶材技術(shù)要求也很高,它要求材料高純度、面積大、均勻性程度高。鋁、銅、鉬、鉻等,主要應(yīng)用于薄膜太陽能電池,太陽能靶材技術(shù)要求高、應(yīng)用范圍大。靶材的核心功能是作為沉積薄膜的濺射源,按材質(zhì)可分為金屬靶、陶瓷靶與合金靶,其下游應(yīng)用主
2024-08-04 面議/套什么是高純?yōu)R射靶材?就是利用各種高純單質(zhì)金屬及新型化合物制得的功能薄膜為(簡單理解就是純度更高)。在光學(xué)器件領(lǐng)域。WSTS預(yù)計,2018年半導(dǎo)體規(guī)模增速達(dá)12.4%。特別是存儲器市場。增速高達(dá)61.49%。一方面,存儲芯片需求旺盛,價格大幅上漲,另一方面,物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI等新應(yīng)用拉動下游需求。半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料,料包括硅片(37%)、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品
2024-08-04 面議/套ITO靶、AZO靶,氧化鎂靶、氧化鐵靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、硫化鎘靶,硫化鉬靶,二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶,五氧化二鉭靶,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、氟化鎂靶,硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳
2024-07-31 面議/套什么是磁控濺射鍍膜靶材?磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式,就是用電子系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。濺射靶材有金屬,合金,陶瓷,硼化物等。濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)。光學(xué)器件應(yīng)用范圍非常廣泛,主要包括智能手機(jī)、車載鏡頭、安防監(jiān)控設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、光碟機(jī)、投影機(jī)等,元器件及光學(xué)鏡頭。 ?
2024-07-31 面議/套? ? 鎳鉑合金濺射靶材在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。金屬硅化物具有不錯的高溫舒緩反應(yīng)性以及良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性,已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中作為優(yōu)良的接觸材料。隨著金屬硅化物的不斷發(fā)展,主要的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。鎳鉑硅化物薄膜在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路中。隨著肖特基二極管工藝不斷發(fā)展,金屬硅化物-硅接觸已取代了
2024-07-31 面議/套? ? 除了光照及電應(yīng)力會影響a-IGZOTFT的穩(wěn)定性外,其對空氣中的氧氣和水蒸氣也較為敏感,長處于潮濕空氣中會使其性能發(fā)生明顯下降。同時,IGZO背溝道表面在薄膜制備過程或者環(huán)境中容易受到,也是其穩(wěn)定性不高的原因之一。IGZOTFT電學(xué)特性在氫氧環(huán)境中也會發(fā)生衰退。2016年大部分國家高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模約為113.6億美元,預(yù)計到2019年,大部分國家高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元,
2024-07-31 面議/套? ? ? 靶材可分為:長靶、方靶、圓靶。按應(yīng)用領(lǐng)域不同可分為:半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。濺射:即集成電路制造過程中要反復(fù)用到的工藝;靶材:就是濺射工藝中必不可少的重要原材料。那么,不同應(yīng)用領(lǐng)域,對材料的選擇及性能要求也有一定差異,Low-E玻璃具有可以阻止空氣由熱向冷傳遞的特性,其指標(biāo)有:輻射率、可見光透射比、遮陽系數(shù)、傳
2024-07-31 面議/套? ? ? 氧化銦中僅添加了氧化錫的ITO,由于燒結(jié)時蒸氣壓高,采用利用蒸發(fā)和凝縮來燒結(jié)的機(jī)構(gòu),難以產(chǎn)生收縮,燒結(jié)體致密化困難。鍍膜時,若片材的密度過低,則在照射電子束時材料從表面蒸發(fā)出來并同時引起靶材的急劇燒結(jié),存在由局部片材收縮所引起的靶材破損問題。另一方面,若靶材密度過高,則在照射電子束時靶材的表面和內(nèi)部產(chǎn)生溫度差,并因熱膨脹的差異而發(fā)生靶材破損(由熱沖擊引起的破損)的問題。若發(fā)生靶材破損,
2024-07-31 面議/套? ? ? 靶材,特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝(PVD)、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。所謂濺射,是制備薄膜材料的主要技術(shù),也是PVD的一種。它通過在PVD設(shè)備中用離子對目標(biāo)物進(jìn)行轟擊,使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出,從而在晶圓表面沉積,濺鍍形成金屬薄膜,其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。 ? ? ? 薄膜太陽能電池比傳統(tǒng)的晶體硅太
2024-07-31 面議/套關(guān)于本網(wǎng)| 大事記|玻璃展會|熱點(diǎn)搜索|玻璃人才|玻璃名錄|站點(diǎn)地圖|活動推廣|隱私聲明|版權(quán)聲明|玻璃供應(yīng)|聯(lián)系我們|English
中玻網(wǎng) 版權(quán)所有 © 2001-2021 郵箱:Service@glass.com.cn 在線溝通:
本網(wǎng)中文域名:玻璃網(wǎng).中國 本站網(wǎng)絡(luò)實(shí)名:中玻網(wǎng)-中國專業(yè)的玻璃行業(yè)信息網(wǎng)站