鎳鉑合金濺射靶材在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。金屬硅化物具有不錯(cuò)的高溫舒緩反應(yīng)性以及良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性，已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中作為優(yōu)良的接觸材料。隨著金屬硅化物的不斷發(fā)展，主要的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。鎳鉑硅化物薄膜在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路中。隨著肖特基二極管工藝不斷發(fā)展，金屬硅化物-硅接觸已取代了傳統(tǒng)的金屬-硅接觸，避免了表面缺陷與沾污，降低了表面態(tài)的影響，提高了器件的正向特性、反向耐壓、反向能量沖擊、耐高溫、抗靜電、抗燒毀能力。武面。

冷噴涂工藝在國外已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，近年來國內(nèi)冷噴涂工藝在耐磨、防腐、防銹、導(dǎo)磁、節(jié)能的應(yīng)用已在市場上得到驗(yàn)證，隨著近年來研發(fā)的投入，冷噴涂技術(shù)已經(jīng)逐漸成熟，在珠三角地區(qū)，已有企業(yè)提供用冷噴涂工藝加工各種功能涂層的服務(wù)，相信新的噴涂工藝將有更多的應(yīng)用。近年，冷噴涂作為一種新型噴涂工藝被用在金屬表面制備高質(zhì)量的金屬涂層。與傳統(tǒng)的熱噴涂工藝相比，冷噴涂工藝的典型特點(diǎn)是利用較低的工作氣體溫度（室溫~600 ℃）形成涂層，因此，可利用冷噴涂工藝的優(yōu)勢在不改變噴涂原材料籌備結(jié)構(gòu)的前提下制備涂層磁控濺射。

純度大于5N，且致密度大于99％。按使用的原材料材質(zhì)不同，濺射靶材可分為金屬/非金屬單質(zhì)靶材、合金靶材、化合物靶材等。濺射鍍膜工藝可重復(fù)性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結(jié)合力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，各種類型的濺射薄膜材料已得到廣泛的應(yīng)用，因此，對濺射靶材這一具有高附加值的功能材料需求逐年增加，濺射靶材亦已成為目前市場應(yīng)用量大的PVD鍍膜材料。從市場前景來看，薄膜太陽能電池在光伏建筑一體化、大規(guī)模低成本發(fā)電站建設(shè)等方面比傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池具有更加廣闊的市場空間�，F(xiàn)今制備太陽能電池用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅。

目前國內(nèi)氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法，以及化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學(xué)方法。在這些制備技術(shù)中，磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結(jié)構(gòu)、均勻性等易于調(diào)控的優(yōu)勢，是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一，以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽能電池、發(fā)光二極管等產(chǎn)業(yè)上獲得了廣泛應(yīng)用。目前，1.熱等靜壓法是將粉末或預(yù)先壓成的素坯裝入包套后，再將套內(nèi)抽真空焊接密封，放入高壓容器內(nèi)，使粉末在高溫及等方壓力下燒結(jié)，成型和燒結(jié)同時(shí)進(jìn)行。在ITO靶材的發(fā)展中，早期采用的熱等靜壓技術(shù)難以獲得高密度、大尺寸的材料。濺射話。

采用多弧離子鍍技術(shù)，探究靶材成分對膜層性能的影響，從而得到佳的靶材成分．在同種工藝條件下，得到不同靶材成分時(shí)膜層的形貌與性能，分析靶材成分對膜層形貌、膜基結(jié)合力及顯微硬度的影響．實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，由于膜層中 Ｔｉ和 Ａｌ元素含量的不同，膜層的性能都會發(fā)生相應(yīng)改變，一般是隨著 Ａｌ含量的增加先升高后降低．

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