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氧化鎵靶材Ga2O3磁控濺射靶材
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價(jià)格(不含稅)
1
1000.00元/
供應(yīng)標(biāo)題:氧化鎵靶材Ga2O3磁控濺射靶材
價(jià)格:電儀
發(fā)布公司:北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司
供貨總量:10
聯(lián)系人:
發(fā)貨地點(diǎn):北京 北京 通州區(qū)
發(fā)布時(shí)間:2021年01月07日
有效期至:2021年07月10日
在線詢盤:在線詢盤
產(chǎn)品綜合信息質(zhì)量:未計(jì)算
- :43183
- :16
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基本信息
科研實(shí)驗(yàn)專項(xiàng)使用氧化鎵靶材Ga2O3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料
產(chǎn)品介紹
氧化鎵(Ga2O3)別名是三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導(dǎo)體,Eg=4.9eV;不溶于水,微溶于熱酸或堿溶液,易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機(jī)酸;有α,β兩種變體,α型為白色菱形六面體,熔點(diǎn):1900℃(在600℃時(shí)轉(zhuǎn)化為β型)。用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導(dǎo)體材料制備。它是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測(cè)器。
產(chǎn)品參數(shù)
中文名 氧化鎵 分子式 Ga2O3
分子量 187.44 熔點(diǎn) 1740℃
密度 5.88g/ml 純度 99.99%
強(qiáng)烈建議陶瓷化合物靶材綁定背靶使用。陶瓷靶材質(zhì)脆,受熱不均勻易裂。不建議超過3mm。 推薦綁定銅背靶,以增強(qiáng)導(dǎo)熱導(dǎo)電性。減少靶材碎裂的可能。 陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差,連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生裂靶情況,綁定背靶后,可以提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能,提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率,從而提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您,選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶!
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北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司基本信息
北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司創(chuàng)建于2016年,是國內(nèi)有色金屬行業(yè)綜合性研究開發(fā)公司。 現(xiàn)有員工100余人。我公司光學(xué)鍍膜材料中心以國內(nèi)的技術(shù),多年來一直有經(jīng)驗(yàn)從事光學(xué)鍍膜材料及濺射靶材的研發(fā)與生產(chǎn)。靶材包括各種氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、復(fù)合物、金屬及合金等,也可根據(jù)您的要求量身定做。通過嚴(yán)格控制生產(chǎn)、并持續(xù)改進(jìn)、穩(wěn)步發(fā)展,致力為客戶提供的產(chǎn)品。 公司現(xiàn)有靶材熱壓爐;真空蒸餾裝置,電解槽,單晶爐,區(qū)熔裝置,CVD(化學(xué)氣象沉積)裝置,PVD(物理氣象沉積)裝置,移動(dòng)式加熱裝置等多種高純金屬和化合物生產(chǎn)研發(fā)設(shè)備;提純工藝包括:真空蒸餾;精餾;區(qū)域熔煉;電解;化學(xué)氣象沉積;物理氣象沉積;熱擴(kuò)散;單晶提拉法等。純度從99.9%-99.99999%,公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品,產(chǎn)品涉及工具/裝飾鍍膜、玻璃鍍膜、光學(xué)鍍膜、平面顯示/觸摸屏鍍膜、薄膜太陽能鍍膜等多個(gè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用到國內(nèi)外眾多知名太陽能、航空航天、生物健康、軍工微電子、信息儲(chǔ)存、汽車、船舶、裝飾、工業(yè)鍍膜、新能源企業(yè)當(dāng)中。 自有設(shè)備:真空熱壓爐,真空中頻感應(yīng)熔煉爐,冷坩堝懸浮熔煉爐,非自耗真空電弧爐,真空高溫加熱爐,真空燒結(jié)爐,真空蒸餾爐,定向凝固,區(qū)域熔煉爐,多溫區(qū)加熱爐,單晶爐,高溫?zé)Y(jié)爐,單溫區(qū),雙溫區(qū)、多溫區(qū)液相、氣相合成爐、氧化爐、加工設(shè)備。 北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司幾年來已先后與國內(nèi)幾十家知名高校、中科院等研究院所建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,并與這些科研單位有密切的學(xué)術(shù)交流和技術(shù)合作項(xiàng)目,并遠(yuǎn)銷歐洲、美國、日本、韓國等,在鍍膜行業(yè)擁有良好的聲譽(yù)。
公司網(wǎng)址:http://jingmaizhongke.glass.com.cn
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