? ? ? 熱噴涂相比于傳統(tǒng)氣相沉積技術(shù),具有工藝流程簡(jiǎn)單、沉積速度快等優(yōu)點(diǎn);相比于溶膠 - 凝膠法、噴霧熱分解法和絲網(wǎng)印刷法,得到的涂層噴涂結(jié)構(gòu)精細(xì),易于制備納米功能涂層。在國(guó)內(nèi),同時(shí)擁有冷噴涂和熱噴涂生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備的企業(yè)鳳毛麟角,廣州的新材料成為了行業(yè)的帶頭羊,相信在不久之后,噴涂制備二氧化鈦及鈦合金涂層的應(yīng)用會(huì)為民用,為人類(lèi)造福。合為客戶(hù)提供“一站式”靶材解決方案。在沒(méi)有美國(guó)設(shè)備的情況下,理
2024-08-05 面議/套? ? 噴涂就是把某種材料經(jīng)加熱加速?lài)娚涞焦ぜ谋砻嫔闲纬赏繉樱垣@得某種需要性能的材料表面改性與強(qiáng)化技術(shù)。較早發(fā)展的是熱噴涂技術(shù)。近年來(lái)隨著材料科學(xué)和表面技術(shù)的快速發(fā)展,涌現(xiàn)出許多新型材料涂層,如納米涂層、非晶涂層及其他特種功能涂層。由于對(duì)涂層成分、籌備均勻性和穩(wěn)定性的要求不斷提高,需要在保證噴涂材料高速?lài)娚、致密沉積、良好結(jié)合的同時(shí)盡量降低加熱溫度,以減少氧化、燒損、相變、晶粒化等現(xiàn)象發(fā)生。因
2024-08-04 面議/套? ? ? 一般會(huì)由金膜或銀膜替代。光碟的膜層也是多層組成的,它在染料層上鍍上30nm厚的鐵鈷合金記錄層,里面混有非晶態(tài)稀土過(guò)渡元素,再鍍上20到100nm厚的氮化硅介質(zhì)層,后鍍上鋁膜反射層。這些需要落得磁性能,能夠記錄數(shù)據(jù)的電子產(chǎn)品,要實(shí)現(xiàn)這些功能,還是要靠各種不同物質(zhì)所濺射而成的薄膜,靠其成膜后顯示出來(lái)的晶體狀態(tài)排序來(lái)實(shí)現(xiàn)。 ? ? ? 靶材是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,故靶材也叫濺射靶材(純
2024-08-04 面議/套? ? ? UVTM的硅靶材作為應(yīng)用于手機(jī)玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品,已獲得多家手機(jī)玻璃蓋板生產(chǎn)客戶(hù)的認(rèn)可,并已實(shí)現(xiàn)批量供貨。色彩一直是時(shí)尚設(shè)計(jì)的熱點(diǎn),而手機(jī)配色也是F設(shè)計(jì)師們?cè)O(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。5G時(shí)候手機(jī)后蓋去金屬化,然而不管是玻璃、陶瓷、塑膠材質(zhì)的手機(jī)外觀結(jié)構(gòu)件,F(xiàn)設(shè)計(jì)師們都會(huì)考慮酷炫紋理、金屬質(zhì)感、亮銀色、陶瓷光澤、漸變色等效果,而這些良好的裝飾效果都離不開(kāi)PVD真空鍍膜。金屬中框也需要和后蓋保持
2024-08-04 面議/套? ? ? 在靶材的寬度方向上,靶材的區(qū)域蝕刻程度比非區(qū)域要嚴(yán)重很多,導(dǎo)致靶材區(qū)域被蝕刻到厚度達(dá)到需要更換靶材的程度時(shí),非區(qū)域還剩有相當(dāng)厚的靶材而得不到有效利用,靶材整體的利用率一般在30%左右,而無(wú)法得到很好地提升。可見(jiàn),現(xiàn)有的磁場(chǎng)移動(dòng)的方法仍有進(jìn)一步改進(jìn)的空間。在電子和光電子應(yīng)用方面有較大潛力的新型半導(dǎo)體材料,它在室溫下具有高電子遷移率和良好導(dǎo)電性的優(yōu)勢(shì)。是目前大部分國(guó)家半導(dǎo)體研究的****和
2024-08-04 面議/套? ? ? 眾所周知,真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射,那么,蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜有什么區(qū)別?不少新手朋友有這樣的疑問(wèn),下面我們就看看歐凱靶材相關(guān)人士為我們做出的相關(guān)講解。濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比,有許多優(yōu)點(diǎn)。如任何物質(zhì)均可以濺射,尤其是高熔點(diǎn),低蒸氣壓的元素和化合物;濺射膜與基板之間的附著性好;薄膜密度高;膜厚可控制和重復(fù)性好等。缺點(diǎn)是設(shè)備比較復(fù)雜,需要高壓裝置。 ? ? ? 退火指提供
2024-08-04 面議/套? ? ? 中國(guó)芯片究竟在哪個(gè)環(huán)節(jié)被美國(guó)“卡”了脖子?數(shù)據(jù)表明,2019年,我國(guó)芯片自給率僅為30%左右。根據(jù)有關(guān)部門(mén)的發(fā)展規(guī)劃,2025年,芯片自給率提升到70%,這差不多是當(dāng)下美國(guó)等芯片大國(guó)的平均水平。作為一個(gè)龐大且復(fù)雜的行業(yè),芯片行業(yè)擁有一條超長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設(shè)計(jì)、制造、封裝、四大環(huán)節(jié)。除了在設(shè)計(jì)領(lǐng)域,華為海思擁有一定的打破能力,其他三個(gè)環(huán)節(jié),尤其是在制造環(huán)節(jié),國(guó)內(nèi)廠商的能力仍有較大
2024-08-04 面議/套靶材如何應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)?半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬靶材,主要種類(lèi)包括:銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材,以及鎳鉑、鎢鈦等合金類(lèi)的靶材。濺射靶材種類(lèi)繁多,就ITO導(dǎo)電玻璃中使用硅靶.鋁靶.鈮靶等三種以上。濺射靶材根據(jù)材料可分為金屬材料(純金屬鋁/鈦/銅/鉭等)、合金材料(鎳鉻/鎳鈷合金等)、無(wú)機(jī)非金屬(陶瓷化合物:氧化物/硅化物/碳化物等)、濺射靶材種類(lèi)繁多,就ITO導(dǎo)電玻璃中使用硅靶.鋁靶.鈮靶等三
2024-08-04 面議/套在半導(dǎo)體材料行業(yè)中,國(guó)產(chǎn)靶材替代國(guó)外靶材已經(jīng)嶄露頭角,呈現(xiàn)定點(diǎn)打破局面,正是需要社會(huì)資金大力投入奮力追趕之關(guān)鍵時(shí)刻。價(jià)格也昂貴,這方面的要求明顯高于平面顯示器、太陽(yáng)能電池等其他應(yīng)用領(lǐng)域。在硅片的正面和背面制造非常精細(xì)的電路,將光生電子導(dǎo)出電池。特定晶向的單晶硅片放入堿溶液中腐蝕,即可在硅片表面產(chǎn)生出許多細(xì)小的金字塔狀外觀。定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn),若濺射靶材的雜質(zhì)含量過(guò)高。研究結(jié)果表明,磁軛傾角的增加。
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