但由于IGBT芯片技術(shù)含量較高，制造難度非常大，加上行業(yè)基礎(chǔ)薄弱、資源分散等原因，與全部先進(jìn)企業(yè)相比，我國(guó)在先進(jìn)IGBT芯片技術(shù)及模塊封裝技術(shù)的研制上進(jìn)展緩慢。國(guó)產(chǎn)IGBT芯片每年產(chǎn)值不足1億元，在IGBT芯片及及其相關(guān)產(chǎn)品上99%以上依賴進(jìn)口。國(guó)內(nèi)在芯片、封裝、裝置、系統(tǒng)還沒(méi)有形成單獨(dú)、完整、健全的技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系，特別是在1200伏以上中高壓IGBT技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化能力上，與國(guó)外廠商仍存在非常大差距，大部分國(guó)家IGBT技術(shù)依然主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)幾家企業(yè)手中。
　　
　　中國(guó)南車作為我國(guó)較早開(kāi)展電力電子器件研制與應(yīng)用的企業(yè)之一，早在1964年，公司就利用硅整流器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的水銀整流管，應(yīng)用到“韶山”電力機(jī)車上，開(kāi)啟了中國(guó)軌道交通裝備的電力電子時(shí)代。經(jīng)過(guò)50年的不懈努力，公司以晶閘管為代表的傳統(tǒng)電力電子器件的技術(shù)相當(dāng)成熟，曾開(kāi)發(fā)出世界上靠前只特高壓直流電用6英寸高壓晶閘管，打破了此前跨國(guó)公司在此市場(chǎng)的長(zhǎng)期壟斷。
　　
　　為了在較先進(jìn)的IGBT領(lǐng)域盡快追趕世界高等步伐，早在上個(gè)世紀(jì)90年代中國(guó)南車就開(kāi)始該項(xiàng)技術(shù)的理論研究，培養(yǎng)了一批高技術(shù)人才，在IGBT產(chǎn)品應(yīng)用技術(shù)積累豐富的經(jīng)驗(yàn)。
　　
　　2008年，南車株洲所成功并購(gòu)英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司，以“資金”換“時(shí)間”，實(shí)現(xiàn)公司在IGBT領(lǐng)域的靠前次跨越。
　　
　　2009年底，該公司在株洲建成國(guó)內(nèi)首條高壓IGBT模塊封裝線，初次實(shí)現(xiàn)高壓大功率IGBT模塊的國(guó)產(chǎn)化。
　　
　　2010年，該公司吸納大部分國(guó)家研發(fā)資源，在英國(guó)成立中國(guó)企業(yè)較早的海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心，開(kāi)展新一代功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)和共性技術(shù)研究，著重開(kāi)發(fā)新一代高功率IGBT芯片及其模塊產(chǎn)品。
　　
　　2012年5月，公司在株洲投入資金15億元，建設(shè)國(guó)內(nèi)靠前條8英寸IGBT有經(jīng)驗(yàn)芯片線。通過(guò)資本運(yùn)作和自主創(chuàng)新相結(jié)合的方式，中國(guó)南車迅速掌握了IGBT芯片設(shè)計(jì)及封裝成套關(guān)鍵技術(shù)與工藝，成為國(guó)內(nèi)自主掌握集IGBT芯片、模塊、組件、應(yīng)用全套技術(shù)的企業(yè)。
　　
　　伴隨著中國(guó)南車IGBT技術(shù)及國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程，我國(guó)在電力電子器件領(lǐng)域受制于人的局面由此改變。2008年前，該產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)格居高不下；2008年，南車株洲所并購(gòu)丹尼克斯公司完成后，該產(chǎn)品價(jià)格開(kāi)始下降；而當(dāng)該公司實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能后，該產(chǎn)品目前價(jià)格已經(jīng)大幅下降。由此一項(xiàng)，中國(guó)南車為國(guó)家節(jié)約成本達(dá)數(shù)十億元。
　　
　　奮斗目標(biāo)，瞄準(zhǔn)行業(yè)世界前三強(qiáng)
　　
　　中國(guó)工程院院士、中國(guó)南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍告訴介紹，為了實(shí)現(xiàn)“IGBT”國(guó)產(chǎn)化之夢(mèng)，中國(guó)南車集合了上百位相關(guān)人士，積聚20多年之功，累計(jì)投入超過(guò)30億元，在IGBT芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用上攻克了30多項(xiàng)重大難題，終于掌握了該器件的成套技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)�；⒂薪�(jīng)驗(yàn)化生產(chǎn)工藝體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
　　
　　國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT有經(jīng)驗(yàn)芯片線一體建成投產(chǎn)，首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，年產(chǎn)值有望實(shí)現(xiàn)20億元，未來(lái)將有望實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口IGBT的一體替代，強(qiáng)有力地支撐綠色經(jīng)濟(jì)的可持續(xù)健康發(fā)展。
　　
　　丁榮軍表示，今后中國(guó)南車將以IGBT全部先進(jìn)技術(shù)為標(biāo)桿，推動(dòng)IGBT在新技術(shù)、新材料、新工藝方面的持續(xù)創(chuàng)新，不斷完善芯片-模塊-功率單元直至系統(tǒng)應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，力爭(zhēng)早日進(jìn)入世界電力電子行業(yè)的前三強(qiáng)。

　　老煙囪倒下，新旗濱崛起
　　
　　6月30日，在株洲旗濱集團(tuán)(601636,股吧)股份有限公司（簡(jiǎn)稱旗濱集團(tuán)）生產(chǎn)車間，工人們依依不舍地把兩條生產(chǎn)線的玻璃冷卻水放掉，兩天后，較后一條生產(chǎn)線也停產(chǎn)。然而，老煙囪倒下的背后，卻見(jiàn)證著一個(gè)新企業(yè)的崛起。

　　
　　旗濱玻璃變新產(chǎn)車間

　　7月14日，百里之外的醴陵?yáng)|富工業(yè)園里，株洲醴陵旗濱玻璃有限公司廠房、宿舍等已經(jīng)建好，各種設(shè)備調(diào)試就緒，靠前條生產(chǎn)線點(diǎn)火生產(chǎn)。這標(biāo)志著，旗濱集團(tuán)的綠色搬遷圓滿完成，清水塘老工業(yè)區(qū)大企業(yè)搬遷邁出了堅(jiān)實(shí)步伐。