二氧化硅（SiO2）靶材 99.99

二氧化硅靶材 純度：99.99% 分子式：SiO2 分子量：60.084 CAS號(hào)：14808-60-7 密度：2.2 熔點(diǎn)：1610℃ 折射率：1.45 透明波段：0.2-9um 二氧化硅容易蒸發(fā)，放氣量小。

2024-06-03 面議/片

二氧化鈦（TiO2）靶材 99.99

燒結(jié)是將氧化鈦粉末通過(guò)高溫加熱使其熔結(jié)粘合成塊狀物的工藝，其原理在于當(dāng)氧化鈦粉末受熱升溫到一定程度時(shí)，晶粒會(huì)發(fā)生溶解和重排，同時(shí)還會(huì)發(fā)生固相擴(kuò)散、氧化還原等化學(xué)反應(yīng)，從而促進(jìn)粒子間的結(jié)合。經(jīng)過(guò)燒結(jié)后，氧化鈦靶材具有較高的致密度、機(jī)械性能、綜合性能等特點(diǎn)，可以大大提高材料利用率。

2024-06-03 面議/片

一氧化鈦（TiO）靶材 99.99%

氧化鈦靶材是一種常用的薄膜材料，主要應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、透明電極、染料敏化太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。其優(yōu)點(diǎn)在于具有較高的光電轉(zhuǎn)換率、光穩(wěn)定性好等特性，因此備受矚目。而其中的燒結(jié)工藝則是氧化鈦靶材制備的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

2024-06-03 面議/片

PZT靶材 鈦鋯酸鉛 99.99%

PZT壓電陶瓷是將二氧化鉛、鋯酸鉛、鈦酸鉛在1200度高溫下燒結(jié)而成的多晶體。具有正壓電效應(yīng)和負(fù)壓電效應(yīng)，PZT以及摻雜的PZT系列鐵電陶瓷成為近些年研究的焦點(diǎn)。

2024-06-03 面議/片

IGZO靶材 氧化銦鎵鋅 99.99

IGZO靶材 （In2O3-Ga2O3-ZnO）純度：99.99%應(yīng)用：IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，載流子遷移率是非晶硅的20~30倍。IGZO用在新一代高性能薄膜晶體管(TFT)中作為溝道材料，可以大大提高TFT對(duì)像素電極的充放電速率，提高像素的響應(yīng)速度，實(shí)現(xiàn)更快的刷新率，同時(shí)更快的響應(yīng)也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能

2024-05-31 面議/片

GZO靶材 氧化鋅鎵 99.99%

GZO靶材是Ga2O3和ZnO的混合物

2024-05-31 面議/片

FTO靶材 摻氟二氧化錫（SnO2

FTO：摻氟二氧化錫（SnO2:F），主要用于磁控濺射透明導(dǎo)電膜。 摻氟二氧化錫(FTO)靶材的常見(jiàn)比例 摻氟二氧化錫(FTO)靶材?99.99% SnO2:F=95:5 wt% 摻氟二氧化錫(FTO)靶材?99.99% SnO2:F=98:2 wt% 摻氟二氧化錫(FTO)靶材 99.99% SnO2:F=90:10 wt%1.高溫條件下，錫化合物、氟化合物氣體反應(yīng)制粉 2.FTO粉末研磨 3.

2024-05-31 面議/片

ATO靶材 SnO2/Sb203

氧化錫銻（ATO）是一種新型透明導(dǎo)電氧化物薄膜，因具有資源豐富、價(jià)格低廉、無(wú)毒無(wú)污染，且禁帶寬度大（＞3.6eV）、導(dǎo)電性好、可見(jiàn)光透過(guò)率高、化學(xué)穩(wěn)定性高、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，而成為最有可能替代氧化銦錫（ITO）薄膜的材料之一。

2024-05-31 面議/片

AZO靶材 99.99%（氧化鋅鋁

一、AZO靶材的定義及特點(diǎn) AZO靶材，全稱氧化鋅鋁靶材，是一種特殊的摻雜型半導(dǎo)體材料。具體來(lái)說(shuō)，它是由氧化鋅（ZnO）和鋁（Al）組成的復(fù)合材料，通常表述為ZnO:Al。AZO靶材在各種科技領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用，這歸功于其一系列獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。 高密度 AZO靶材的高密度特性是其在涂膜過(guò)程中能夠保持均勻性的關(guān)鍵。高密度的AZO靶材可以保證在涂膜過(guò)程中的均勻性，從而提高最終制品的性能和質(zhì)

2024-05-31 面議/片