UVTM擁有廣東省“科技小巨人”企業(yè)稱號、“廣東省省鎢鉬深加工工程實驗室”、“深圳市鎢鉬靶材工程技術(shù)研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工工程研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工研發(fā)中心”、“深圳市企業(yè)技術(shù)中心”、“廣東省鎢鉬靶材及硬質(zhì)合金新材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”盟主稱號，與國內(nèi)多所高校、研究院所建立了良好的產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系，為公司技術(shù)研發(fā)提供良好的服務(wù)平臺，提高企業(yè)科研創(chuàng)新活力。

目前鍍膜基板多以TFT貼盒玻璃為主，通常先在5代及更高世代線生產(chǎn)完成TFT-array玻璃和CF玻璃制程以后，再經(jīng)過貼合及切割成3.5代線大小，送至減薄廠減薄，減薄后送至觸摸屏廠進(jìn)行Oncell觸控sensor制程�，F(xiàn)有的Oncell觸摸屏采用以TFT液晶顯示玻璃(包括array面板玻璃和CF玻璃)貼盒減薄好后的CF玻璃背面制造觸摸功能，實現(xiàn)液晶顯示和觸摸傳感器的雙重作用，該方法簡單，成本較低，近年來受到人們的普遍關(guān)注。但由于鍍膜玻璃基板是經(jīng)過切割及減薄后的TFT貼盒玻璃，玻璃質(zhì)地非常脆，容易在鍍膜過程中因受熱而破裂，破裂后的玻璃碎片會從裝載小車掉落進(jìn)鍍膜真空腔體內(nèi)部，且部分玻璃碎片會不可避免的擱在豎著的靶材上面。由于靶材在鍍膜過程中會不停息的持續(xù)旋轉(zhuǎn)，致使擱在旋轉(zhuǎn)靶材上的玻璃會將靶材刮壞。靶材表面一旦刮壞后將無常放電起輝，進(jìn)而無常使用，影響鍍膜過程的正常進(jìn)行。而且由于鍍膜靶材價格昂貴，一支靶材通�？筛哌_(dá)20多萬，其厚度卻不過5-9mm，因此針對表面受損的靶材通常不會直接遺棄，而是選擇修復(fù)，修復(fù)靶材就必須打開鍍膜腔體用打磨機(jī)將靶材表面打磨平整，打磨靶材的過程一方面浪費了昂貴的靶材，另一方面也耽誤了生產(chǎn)，不利于提高生產(chǎn)效率。

半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來講，半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是半導(dǎo)體、顯示面板等的關(guān)鍵核心材料，國內(nèi)總需求占比超30%，但可自主生產(chǎn)的市場規(guī)模不足2%。伴隨高等制造業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移趨勢，國產(chǎn)替代空間明顯。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來越高，單位面積單晶硅片集成器件數(shù)呈指數(shù)級增長，主流的硅片尺寸已從12英寸（300mm）逐漸邁向18英寸（450mm）或者更高，國內(nèi)ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進(jìn)入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早，不僅具有上游原料優(yōu)勢。

在真空室的左右兩側(cè)設(shè)置左右大門，而在其中配裝蒸發(fā)裝置和磁控裝置，可在該雙門上預(yù)留該兩裝置的接口，以備需要時換裝。真空鍍膜機(jī)一般都是由真空系統(tǒng)、蒸發(fā)系統(tǒng)、薄膜卷繞系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、控制系統(tǒng)等主要部分組成。當(dāng)薄膜運(yùn)行速度達(dá)到一定數(shù)值后，打開擋板使氣態(tài)鋁微粒在移動的薄膜基材表面沉積、冷卻即形成一層連續(xù)而光亮的金屬鋁層。通過控制金屬鋁的蒸發(fā)速度、基材薄膜的移動速度等來控制鍍鋁層的厚度，一般鍍鋁層厚度在250～500。而蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)是專業(yè)在塑料表面進(jìn)行蒸發(fā)鍍鋁、鉻、一氧化硅的專用設(shè)備，鍍出的膜層牢固且細(xì)密，是工業(yè)化生產(chǎn)的理想設(shè)備，其特點是它的環(huán)保性，真空鍍膜設(shè)備屬于無三廢、純凈的清潔生產(chǎn)設(shè)備。磁控濺射靶材是真空磁控濺射鍍膜的核心部件。

按開關(guān)不同可分為：長靶、方靶、圓靶。按應(yīng)用領(lǐng)域不同可分為：半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。濺射：即集成電路制造過程中要反復(fù)用到的工藝；靶材：就是濺射工藝中必不可少的重要原材料。那么，不同應(yīng)用領(lǐng)域，對材料的選擇及性能要求也有一定差異，low-e玻璃具有可以阻止空氣由熱向冷傳遞的特性,其指標(biāo)有：輻射率、可見光透射比、遮陽系數(shù)、傳熱系數(shù)、耐磨性、耐酸堿性目前有兩種主要生產(chǎn)方法：在線高溫?zé)峤獬练e法和離線真空磁控濺射法，其產(chǎn)品分別叫在線low-e玻璃和離線low-e玻璃。鍍膜玻璃離不開金屬靶材，濺射靶材的使用量及成本占行業(yè)中相當(dāng)大的比重。

17年國內(nèi)半導(dǎo)體增速24.81%。半導(dǎo)體靶材性能要求位居各類應(yīng)用前列。半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達(dá)99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。進(jìn)出口方面，產(chǎn)量方面，隨著國內(nèi)磁控濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高，我國靶材生產(chǎn)有相對的低成本優(yōu)勢。過去典型靶材種類之一——高純鋁仍主要依賴****；但隨著國內(nèi)高純鋁的產(chǎn)量逐年增加，從年進(jìn)出口量的差距一直在縮小，2018年高純鋁出口量超過****量。2017大部分國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期增速21.62%。從下游需求結(jié)構(gòu)看，17年增長主要源于半導(dǎo)體的主要應(yīng)用是集成電路中的存儲器。

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