半導(dǎo)體材料可以分為晶圓材料和封裝材料，封裝材料相較于晶圓制造材料來說技術(shù)壁壘相對較低，所以我們主要講的是晶圓制造材料。半導(dǎo)體材料市場占比在 3%左右的濺射靶材。簡單地說，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，通過更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

科技日報：ITO靶材是35項卡脖子技術(shù)之一。2018年，尤特成立ITO靶材部，目前已量產(chǎn)達(dá)到國際水平的ITO靶材，打破國外對高等ITO靶材的壟斷，整體化為客戶提供高等磁控濺射鍍膜行業(yè)全棧式服務(wù)。獲得很薄的金屬薄膜。而關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究進入一個新的時期，則是在第二次世界大戰(zhàn)期間，主要應(yīng)用于飛機的除冰窗戶玻璃。而在1950年，第二種透明半導(dǎo)體氧化物In2O3初次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導(dǎo)電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用，并具有廣闊的應(yīng)用前景。目前制備ITO薄膜的方法有很多種，如低電壓濺射、直流磁控濺射和HDAP法。將ITO玻璃進行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極。從設(shè)備所占市場份額看，AMAT的產(chǎn)品覆蓋了整個產(chǎn)業(yè)鏈，眾多產(chǎn)品市場占有率處于****水平。包括PVD沉積設(shè)備（84.9%），P設(shè)備（66%）。離子注入設(shè)備（73%）領(lǐng)域處于****水平。此外，泛林的刻蝕機市場占有率達(dá)到52.7%。膜時提高襯底溫度以加大薄膜晶粒尺寸,優(yōu)化薄膜結(jié)晶性能。

隨著芯片的使用范圍越來越廣泛，芯片市場需求數(shù)量增長，對于鋁、鈦、鉭、銅這四種業(yè)界主流的薄膜金屬材料的需求也一定會有增長。種薄膜金屬材料的其他方案，所以這四種材料目前看不到被替代的風(fēng)險。在競爭格局上，由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高，產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等為代表的濺射靶材生產(chǎn)商占據(jù)大部分國家絕大部分市場份額。握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應(yīng)用領(lǐng)域。市場的主動權(quán)，并帶領(lǐng)著大部分國家濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進步。

靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。貨品的深加工技術(shù)朝高純化、精細(xì)化、的方向發(fā)展。由于鉭的表面能形成致密穩(wěn)定、介電強度高的無定形氧化膜，易于準(zhǔn)確方便地控制電容器的陽極氧化工藝，面積，高低溫特性好、使用壽命長、綜合性能不錯、其他電容器難以與之媲美，國外對高純金屬材料的開發(fā)研究較早，英國和俄羅斯等國家意志以來都十分重視高純金屬材料的研制、生產(chǎn)和應(yīng)用。其生產(chǎn)的高純金屬材料品種齊全、質(zhì)量好、產(chǎn)量大，產(chǎn)品純度高可達(dá)6N以上。貨品因其優(yōu)良的理化性能和高可靠性，成為保證半導(dǎo)體器件性能和發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)必不可少及不可替代的材料。此外，玫瑰金靶材、1N14靶材、2N18靶材等金銅合金靶材。在高等裝飾鍍膜中也有著廣泛的應(yīng)用。

從目前的ITO靶材行業(yè)地位來看，日本能源、東芝和三井在大部分國家ITO靶材市場擁有80%以上的份額。平板顯示器件都要用到各種類型的薄膜，沒有薄膜技術(shù)就沒有平板顯示器件。平板顯示器多由金屬電極、透明導(dǎo)電極、絕緣層、發(fā)光層組成，為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本。平板顯示器多由金屬電極、透明導(dǎo)電極、絕緣層、發(fā)光層組成，為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，幾乎所有類型的平板顯示器件都會使用大量的鍍膜材料來形成各類功能薄膜，其所使用的PVD鍍膜材料主要為濺射靶材，平板顯示器的很多性能如分辨率、透光率等都與濺射薄膜的性能密切相關(guān)。靶材市場發(fā)展趨勢開發(fā)用于4k/8k非常高清顯示的IGZO。

半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來講，半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。靶材是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。我國ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及其對我國觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。氧化銦錫(IndiumTinOde)，作為一種n型半導(dǎo)體材料，具有高的導(dǎo)電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性。液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、電致發(fā)光顯示器(EL/OLED)、觸摸屏(TouchPanel)、太陽能電池以及其他電子儀表的透明電極上廣泛應(yīng)用。

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