主要用于五金裝飾的耐磨、耐腐蝕硬膜，LOW-E鍍膜玻璃，半導(dǎo)體電子加工尺寸:長度:4000MM厚度:6-10MM，直型、狗骨型，對于貨品靶材，若剩余下的高純殘靶若以普通廢料進行處理，將會是對稀貴材料的較大浪費；同時，靶材從原材料到加工成成品，成材率一般只有40%-80%，大量的余料和殘屑需要更新循環(huán)利用。對于貨品靶材，由于材料價格昂貴，迫切需要對加工過程的余料殘屑的提純再利用及對殘進行回收加工增值服務(wù)，有效增加材料利用效率和節(jié)約資源。對于貨品余料殘屑及殘的處理可為機械物理法回收和化學(xué)精煉提純回收。機械物理法可應(yīng)用于單質(zhì)金屬殘靶及加工廢料。通過機械切削對單質(zhì)殘表面進行處理，然后采用酸洗去除表面殘留雜質(zhì)的方法對殘祀回收再利用。

鋁釹靶材主要是用于平面顯示器、觸摸屏的玻璃基板電極層的鍍膜。目前主要是 用真空熔煉和熱壓燒結(jié)方法研發(fā)和生產(chǎn)小尺寸平面靶，大尺寸靶是通過小尺寸拼接形成。 由于不是一體化（需要拼接）容易產(chǎn)生電弧放電，因此成膜質(zhì)量差，難以真實應(yīng)用到高質(zhì)量 的顯示屏、觸摸屏上。盡管，人們已經(jīng)采用真空熔煉生產(chǎn)空心鋁釹靶靶管，并通過銦焊綁定 到不銹鋼背管上生產(chǎn)鋁釹旋轉(zhuǎn)靶材。由于銦焊料昂貴（占整個靶材成本50% )導(dǎo)致鋁釹 旋轉(zhuǎn)靶材的成本高；另一方面，由于是一節(jié)節(jié)靶管拼接而成存在節(jié)縫，在使用時容易形成電 弧放電，降低成膜質(zhì)量。此外，由于采用低熔點的銦焊接，靶材使用時發(fā)熱，容易導(dǎo)致脫靶現(xiàn) 象，還有鋁釹靶管焊接時熱收縮不容易控制，焊接難度大。

真空鍍膜機是在中間設(shè)置真空室，在真空室的左右兩側(cè)設(shè)置左右大門，而在其中配裝蒸發(fā)裝置和磁控裝置，可在該雙門上預(yù)留該兩裝置的接口，以備需要時換裝。真空鍍膜機一般都是由真空系統(tǒng)、蒸發(fā)系統(tǒng)、薄膜卷繞系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、控制系統(tǒng)等主要部分組成。當(dāng)薄膜運行速度達到一定數(shù)值后，打開擋板使氣態(tài)鋁微粒在移動的薄膜基材表面沉積、冷卻即形成一層連續(xù)而光亮的金屬鋁層。通過控制金屬鋁的蒸發(fā)速度、基材薄膜的移動速度等來控制鍍鋁層的厚度，一般鍍鋁層厚度在250～500。而蒸發(fā)真空鍍膜機是專業(yè)在塑料表面進行蒸發(fā)鍍鋁、鉻、一氧化硅的專用設(shè)備，鍍出的膜層牢固且細密，是工業(yè)化生產(chǎn)的理想設(shè)備，其特點是它的環(huán)保性，真空鍍膜設(shè)備屬于無三廢、純凈的清潔生產(chǎn)設(shè)備。

磁控濺射靶材是真空磁控濺射鍍膜的核心部件，半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來講，半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是半導(dǎo)體、顯示面板等的關(guān)鍵核心材料，國內(nèi)總需求占比超30%，但可自主生產(chǎn)的市場規(guī)模不足2%。伴隨高等制造業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移趨勢，國產(chǎn)替代空間明顯。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來越高，單位面積單晶硅片集成器件數(shù)呈指數(shù)級增長，主流的硅片尺寸已從12英寸（300mm）逐漸邁向18英寸（450mm）或者更高，國內(nèi)ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早，不僅具有上游原料優(yōu)勢，而且上下游供應(yīng)鏈維持良好，ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)處于大部分國家的領(lǐng)導(dǎo)地位。2008年大部分國家ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)品供不應(yīng)求，隨著市場需求的逐步擴大，及行業(yè)技術(shù)的逐漸發(fā)展，韓國企業(yè)陸續(xù)進入，包括韓國LG化學(xué)，SKC等企業(yè)。具備一定技術(shù)實力的中國地區(qū)企業(yè)。大陸企業(yè)也紛紛進入這一行業(yè)。在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對靶材的要求是比較高的,一般要求靶材的純度要在99.999%以上,價格也昂貴。

中國超過韓國成為大部分國家大的LCD生產(chǎn)大國;2019年,韓國宣布繼續(xù)減少LCD產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn)OLED市場,中國持續(xù)布局OLED、LCD顯示器、導(dǎo)電玻璃以及太陽能電池等。ITO/Si異質(zhì)結(jié)光電器件與p-n結(jié)光電池比較具有工藝簡單,轉(zhuǎn)換效率高等特點.ITO是In_2O_3與SnO_2按一定比例的混合物.用電阻加熱真空蒸發(fā)法制備,避免了環(huán)境沾污,得到的特性較好.ITO有著多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導(dǎo)體Si上形成勢壘作為SIS結(jié)的一層以及抗反射層。銦是中國在儲量上占據(jù)優(yōu)勢的資源。

在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點。真空鍍膜機設(shè)備實驗分析與討論1.蒸發(fā)過程中的真空條件真空容器內(nèi)蒸汽分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離（稱蒸距）時，就會獲得充分的真空條件。為此，增加殘余氣體的平均自由程，借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞幾率，把真空室內(nèi)抽成高真空是非常必要的。2.影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素:影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素有很多，主要有真空度、蒸發(fā)源的形狀、基片的、蒸發(fā)源的溫度等。固體物質(zhì)在常溫和常壓下，蒸發(fā)量極低。真空度越高，蒸發(fā)源材料的分子越易于離開材料表面向四周散射。真空室內(nèi)的分子越少，蒸發(fā)分子與氣體分子碰撞的概率就越小，從而能無阻擋地直線達到基片的表面。3.蒸發(fā)源選取原則1.有良好的熱穩(wěn)定性，化學(xué)性質(zhì)不活潑。

廣州市尤特新材料有限公司（以下簡稱“尤特”），成立于2003年，位于羊城廣州的北面-花都,占地總面積約3萬平方米。尤特是一家專注于時尚消費電子產(chǎn)業(yè)、節(jié)能綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)、新材料新技術(shù)開發(fā)和應(yīng)用的重要高新技術(shù)企業(yè)。尤特以生產(chǎn)信息存儲記錄材料為起點，經(jīng)過10多年的開拓與發(fā)展，產(chǎn)業(yè)技術(shù)不斷迭代與升級，尤特的技術(shù)及應(yīng)用涉獵范圍逐步擴大，其中主要包括：真空鍍膜靶材；環(huán)保（UV/水性）材料；觸控顯示材料；印刷技術(shù)及材料；信息存儲材料、導(dǎo)電散熱材料等。尤特一直倡導(dǎo)“新材料、促環(huán)保、美生活”企業(yè)使命。尤特遵循科學(xué)體系管理，先后通過《質(zhì)量管理體系》、《環(huán)境管理體系》、《職業(yè)健康與安全管理體系》認證并有效運行，產(chǎn)品符合全部環(huán)境及安全標準；獲得SONY GP綠色合作伙伴全部認證等。尤特重視產(chǎn)品研發(fā)及技術(shù)創(chuàng)新，先后與"武漢大學(xué)"、"華南理工大學(xué)"、"中南大學(xué)"等高校、研究所建立"產(chǎn)學(xué)研"合作機制，并承擔(dān)多項省市立項的科研項目，公司目前已擁有幾十項自主研發(fā)新興材料及工藝的知識產(chǎn)權(quán)，是廣州市扶持科技型要點培育上市企業(yè)。尤特先后獲得相關(guān)機構(gòu)的授予多個榮譽：如“國家生產(chǎn)力促進獎、國家有名商標、廣東省守合同重信用企業(yè)、廣東省雇主責(zé)任示范企業(yè)、廣州市安全生產(chǎn)標準化達標企業(yè)、廣州市工程技術(shù)研發(fā)中心、廣州科技小巨人企業(yè)、地方納稅企業(yè)”等榮譽。尤特全體同仁秉承“創(chuàng)造價值，分享價值“的核心價值觀，借鑒以往成功管理運營經(jīng)驗，持續(xù)深挖磁控濺射鍍膜材料下游應(yīng)用市場，不斷拓寬市場應(yīng)用領(lǐng)域，做優(yōu)做強鍍膜材料產(chǎn)業(yè),將公司打造為--磁控濺射靶材行業(yè)者。

主營產(chǎn)品：濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉(zhuǎn)靶材,平面靶材,噴涂靶材,靶材,UV玻璃油墨 公司成立年份：2003
公司網(wǎng)址：http://UVTMCOM.glass.com.cn

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